RU150 | USB 2.0 | USB Flash Drive

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產品簡介

SMART Modular世邁科技RU150 USB隨身碟採用SLC NAND 技術,提供1GB到16GB容量可供選擇,內建錯誤偵測和修正演算法,並結合動靜態平均抹寫演算技術Wear-Leveling,確保產品在生命週期內提供可靠的運作。

SLC NAND提供比MLC NAND更優越的耐用性及可靠性,是企業級IT執行關鍵任務和現場服務時的最佳選擇。

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零件編號

容量

注意事項

SH9MK16GQDU
16GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)
SH9MK8GQCU
8GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)
SH9MK4GQBU
4GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)
SH9MK2GQAU
2GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)
SH9MK1GQ9U
1GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)

產品詳情

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標準

產品系列
RU150
NAND Flash技術
SLC
介面
USB 2.0

效能

連續讀取 (最大)
Up to 34MB/s
連續寫入 (最大)
Up to 27MB/s
容量
1GB 2GB 4GB 8GB 16GB

可靠度

寫入總量 (TBW)
1GB: 3TBW 2GB: 6TBW 4GB: 12TBW 8GB: 24TBW 16GB: 48TBW
平均故障間隔 (MTBF)
>4,000,000 hours

環境耐受度

衝擊
70 in/sec, 3 shocks along each axis, X, Y, Z, in each direction
振動
0.9 g rms 10-500 Hz, 30 minutes per side
操作溫度
C-temp: 0℃ to +59℃ (plastic part)
儲存溫度
-40℃ to +85℃
溼度
5% to 95%, non-condensing, relative humidity

尺寸

長度
54.55mm
寬度
15.49mm
高度
8.3mm

技術

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Advanced Error Detection & Correction
Advanced Error Detection & Correction 先進錯誤檢測和糾正

SMART Modular世邁科技的Advanced Error Detection & Correction技術為強化的ECC (Error Code Correction) engine錯誤碼修正以及RAID (Redundant Array of Independent Disks) 磁碟陣列機制結合的技術 。在其他page的資料將會被重組儲存到新的block,而之前儲存該組資料的block則會進行資料抹除。

Wear-Leveling
Wear-Leveling 平均耗損

過度使用特定block會可能會導致裝置毀損或裝置壽命提前結束,Wear-Leveling平均耗損技術會確保每個NAND block都會被平均寫入或抹除資料,如此一來可改善Flash產品的使用壽命與耐用度。

Garbage Collection
Garbage Collection 資料回收

Flash儲存裝置與傳統硬碟有著不一樣的方式處理被刪除的資料。在固態硬碟中,舊的資料必須要先被抹除,新的資料才能被寫入同個block。Garbage Collection資料回收技術就是將有用的資料複製到新的block之後,再刪除原block裡應該被刪除或無用的資料。

TRIM Command
TRIM Command 修整指令

TRIM指令透過作業系統幫忙通知固態硬碟哪個block沒在使用、可以進行資料抹除,或是哪個block被標記顯示空間已被釋放、可以重新寫入資料。TRIM指令不僅可以降低Write Amplifier Factor (WAF)寫入放大,更可強化資料存取的速度。

Over-Provisioning
Over-Provisioning 空間預留

Over-Provisioning (OP)技術是透過預留一部分記憶體實際儲存容量,以用來執行Garbage Collection資料回收技術、Wear-Leveling耗損平均技術與Bad Block Management故障區塊管理。OP可以有效降低Write Amplification寫入放大,並延長固態硬碟的使用壽命。

解決方案

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無論是自動化系統內的小型工業零件,或鑽油井必備的大型設備,遇到嚴峻的作業環境,所有系統均需精準的指令才能正確作業。因此,除了維持穏定的操作性能之外,保持輸出數據的準確性也變得相當重要。

產品系列概述

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