Centros de datos de IA y HPC
Soluciones tolerantes a fallos
Memoria integrada
Las unidades flash USB USB 2.0 DuraFlash RU150 de SMART se ofrecen con memoria flash NAND de celda de nivel único (SLC) con capacidades de 1 GB a 16 GB. Las llaves de memoria USB proporcionan una fiabilidad mejorada al incorporar la detección y corrección de errores integradas y algoritmos globales de nivelación del desgaste que proporcionan un funcionamiento fiable durante la vida útil del producto.
La tecnología SLC NAND proporciona una durabilidad y confiabilidad superiores a las de la tecnología NAND de celdas multinivel (MLC). Es una opción ideal para aplicaciones de servicios de campo y TI empresariales de misión crítica.
La tecnología avanzada de detección y corrección de errores de SMART refuerza el motor ECC (corrección de códigos de error) y utiliza el mecanismo RAID (matriz redundante de discos independientes). Los datos se reconstruyen mediante la paridad almacenada anteriormente en otras páginas. Los datos recuperados se almacenarán en un bloque nuevo y el bloque almacenado anteriormente se actualizará.
La nivelación de desgaste se refiere a la práctica de garantizar que ciertos bloques NAND no se escriban y borren con más frecuencia que otros. Al evitar el uso excesivo de determinados bloques, que podrían provocar fallos en el dispositivo o la pérdida de datos, la nivelación del desgaste mejora la esperanza de vida y la resistencia de los productos Flash.
Los dispositivos de almacenamiento basados en flash son diferentes en la forma en que tratan los datos previamente eliminados en comparación con los discos tradicionales. Los datos deben borrarse primero antes de poder escribir datos nuevos en el mismo bloque de los SSDs. Garbage Collection copia los datos en uso en un bloque nuevo y, a continuación, elimina todos los datos del bloque anterior.
TRIM es un comando con la ayuda del cual el sistema operativo puede decirle al SSD qué bloques ya no son necesarios y se pueden eliminar, o están marcados como libres para su reescritura. Con el comando TRIM, no solo reduce el factor de amplificación de escritura (WAF) sino que también aumenta la velocidad de acceso a los datos.
El sobreaprovisionamiento es una tecnología en la que una parte determinada de la capacidad física de la memoria se reserva para llevar a cabo la recolección de basura, la nivelación del desgaste y la gestión de los bloques defectuosos. Reduce eficazmente el atributo de amplificación de escritura y prolonga la vida útil de un SSD.
Desde pequeños componentes industriales instalados en sistemas de automatización hasta grandes equipos utilizados para la extracción de petróleo, a las operaciones del proyecto se les pide que proporcionen instrucciones precisas, en ocasiones en entornos hostiles. Por lo tanto, es fundamental mantener la precisión de la salida de datos, además de mantener un rendimiento operativo continuo y estable.
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