RU150 | USB 2.0 | USB Flash Drive

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产品简介

SMART 的 DuraFlash RU150 USB 2.0 USB 闪存盘提供单级电池 (SLC) NAND 闪存,容量为 1GB 至 16GB。USB 存储密钥结合了板载错误检测和校正功能,以及可在产品生命周期内提供可靠运行的全局磨损均衡算法,从而增强了可靠性。

与多级电池 (MLC) NAND 技术相比,SLC NAND 具有卓越的耐用性和可靠性。它是关键任务企业 IT 和现场服务应用的理想选择。

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零件号

容量

注意

SH9MK16GQDU
16GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)
SH9MK8GQCU
8GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)
SH9MK4GQBU
4GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)
SH9MK2GQAU
2GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)
SH9MK1GQ9U
1GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)

产品详情

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必需品

产品系列
RU150
NAND 闪存技术
SLC
接口
USB 2.0

性能

顺序读取(最大值)
Up to 34MB/s
顺序写入(最大值)
Up to 27MB/s
容量
1GB 2GB 4GB 8GB 16GB

可靠性

TBW
1GB: 3TBW 2GB: 6TBW 4GB: 12TBW 8GB: 24TBW 16GB: 48TBW
MTBF
>4,000,000 hours

环保

休克
70 in/sec, 3 shocks along each axis, X, Y, Z, in each direction
振动
0.9 g rms 10-500 Hz, 30 minutes per side
操作温度
C-temp: 0℃ to +59℃ (plastic part)
存储温度
-40℃ to +85℃
湿度
5% to 95%, non-condensing, relative humidity

身体的

长度
54.55mm
宽度
15.49mm
身高
8.3mm

技术

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Advanced Error Detection & Correction
高级错误检测和校正

SMART 的高级错误检测和校正技术强化了 ECC(错误代码校正)引擎,并利用 RAID(独立磁盘冗余阵列)机制。数据由先前存储在其他页面中的奇偶校验值进行重建。恢复的数据将存储在一个新块中,并且之前存储的块将被刷新。

Wear-Leveling
磨损均衡

Wear Leveling是指确保某些 NAND 方块的写入和擦除频率不高于其他方块的做法。通过防止过度使用可能导致设备故障或数据丢失的特定模块,Wear-Leveling因此可以提高闪存产品的预期寿命和耐久性。

Garbage Collection
垃圾收集

与传统磁盘相比,基于闪存的存储设备处理先前删除的数据的方式有所不同。必须先擦除数据,然后才能将新数据写入固态硬盘中的同一个区块。垃圾回收将使用中的数据复制到新区块,然后删除旧区块中的所有数据。

TRIM Command
TRIM 命令

TRIM 是一项命令,操作系统可以借助该命令告诉固态硬盘不再需要哪些块,哪些块可以删除,或者标记为可免费重写。使用 TRIM 命令,它不仅可以降低写入放大器因子 (WAF),还可以提高数据访问速度。

Over-Provisioning
预留空间

预留空间是一项将内存物理容量的特定部分保留用于进行垃圾收集、损耗平衡和坏块管理的技术。它有效地降低了写入放大的属性并延长了固态硬盘的使用寿命。

解决方案

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从部署在自动化系统中的小型工业组件到用于石油钻探的大型设备,项目运营部门需要提供精确的指令,有时在恶劣的环境中也是如此。因此,除了保持持续、稳定的运行性能外,保持数据输出的准确性也至关重要。

产品系列概述

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