RD130m | SD 3.01 | microSD Card

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產品簡介

SMART Modular世邁科技RD130m SD 3.01 microSD記憶卡完全符合SD規範,採用32奈米和24奈米SLC Flash技術,並支援商規和工規溫度兩種版本,專為滿足嚴格工業操作溫度及環境需求所設計。

RD130m microSD記憶卡符合SD v3.01 SDSC標準,提供高達68MB/s和50MB/s的讀寫速度,內建錯誤偵測和修正演算法,並結合動靜態平均抹寫演算技術Wear-Leveling,確保產品在生命週期內提供可靠的運作。

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零件編號

容量

注意事項

SS9UD004GPHE8SI32
4GB
I Temp (-40˚C to +85˚C)
SS9UD004GPHE8SE32
4GB
E Temp (-25˚C to +85˚C)
SS9UD002GPHE8SI32
2GB
I Temp (-40˚C to +85˚C)
SS9UD002GPHE8SE32
2GB
E Temp (-25˚C to +85˚C)
SS9UD001GPHE8SI32
1GB
I Temp (-40˚C to +85˚C)
SS9UD001GPHE8SE32
1GB
E Temp (-25˚C to +85˚C)

產品詳情

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標準

產品系列
RD130m
NAND Flash技術
SLC
介面
SD 3.01

效能

連續讀取 (最大)
Up to 68MB/s
連續寫入 (最大)
Up to 50MB/s
容量
1GB 2GB 4GB

可靠度

寫入總量 (TBW)
> 3,000,000 hours
平均故障間隔 (MTBF)
> 3,000,000 hours

環境耐受度

衝擊
500G/2ms. 6 faces, 5 times/face
振動
20G 80-2000Hz, 1.52mm 20-80Hz, 3 axis
操作溫度
E-temp: -25℃ to +85℃ I-temp: -40℃ to +85℃
儲存溫度
-40℃ to +85℃
溼度
40℃, Operation: 90% RH, Storage: 93% RH

尺寸

長度
15mm
寬度
11mm
高度
1mm

技術

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Wear-Leveling
Wear-Leveling 平均耗損

過度使用特定block會可能會導致裝置毀損或裝置壽命提前結束,Wear-Leveling平均耗損技術會確保每個NAND block都會被平均寫入或抹除資料,如此一來可改善Flash產品的使用壽命與耐用度。

Garbage Collection
Garbage Collection 資料回收

Flash儲存裝置與傳統硬碟有著不一樣的方式處理被刪除的資料。在固態硬碟中,舊的資料必須要先被抹除,新的資料才能被寫入同個block。Garbage Collection資料回收技術就是將有用的資料複製到新的block之後,再刪除原block裡應該被刪除或無用的資料。

TRIM Command
TRIM Command 修整指令

TRIM指令透過作業系統幫忙通知固態硬碟哪個block沒在使用、可以進行資料抹除,或是哪個block被標記顯示空間已被釋放、可以重新寫入資料。TRIM指令不僅可以降低Write Amplifier Factor (WAF)寫入放大,更可強化資料存取的速度。

Over-Provisioning
Over-Provisioning 空間預留

Over-Provisioning (OP)技術是透過預留一部分記憶體實際儲存容量,以用來執行Garbage Collection資料回收技術、Wear-Leveling耗損平均技術與Bad Block Management故障區塊管理。OP可以有效降低Write Amplification寫入放大,並延長固態硬碟的使用壽命。

解決方案

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安全意識的提升加速數位影像監控的普及與成長, 數位訊號的傳輸也變得更複雜。無論是保障個人或企業安全、預防犯罪、或是人臉辨識等智能分析及資料串流,現今的監控系統需要全天24小時提供百萬畫素的影像。即便沒有使用數位訊號傳輸錄影影像時,模擬監控系統則作為安全監控工具發揮作用。不論哪種應用,SMART Modular世邁科技提供多樣化的儲存解決方案,來滿足高效能監控的需求。

產品系列概述

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