RD530m | SD 6.1 | microSDカード

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製品概要

SMARTのRD530m microSDカードは、SD UHS-I SDR 104に完全に準拠しています。大容量RD530m microSDカードは、3D TLC NANDフラッシュを使用して64GBから128GBの容量を提供します。RD530m microSDカードは、厳格な産業運用および環境要件を満たすように特別に設計されています。

microSDカード製品は、オンボードのエラー検出および修正アルゴリズムと静的・動的なウェアレベリング技術を組み込んでおり、製品寿命全体にわたって何年にもわたる信頼性の高い動作を保証します。

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注文情報

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パーツ番号

キャパシティ

[メモ]

SV9UD128GPHKFTCD1
128GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)
SV9UD064GPHKFTCD1
64GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)

[商品詳細]

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主要

製品シリーズ
RD530
NANDフラッシュ技術
3D TLC
インターフェイス
SD 6.1

性能

シーケンシャル読み取り(最大)
Up to 100MB/s
シーケンシャル書き込み(最大)
Up to 90MB/s
容量
64GB 128GB

信頼性

TBW
64GB: 175TBW 128GB: 350TBW (JEDEC® Sequential Workload)
MTBF
> 3,000,000 hours

環境的

衝撃
Plus with Half-Sine, 500G/2ms. 6 faces, 5 times/face
振動
Displacement: 20-80Hz/1.52mm. Acceleration: 80-2000HZ/20G. 30mins/axis.
動作温度
C-temp: 0℃ to +70℃
保管温度
-40℃ to +85℃
湿度
40℃/93%RH@500hrs

物理的

長さ
15mm
11mm
高さ
1mm

テクノロジー

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Advanced Error Detection & Correction
高度なエラー検出および訂正 (Advanced Error Detection & Correction)

当社の高度なエラー検出および訂正技術は、ECC(エラーコード訂正)エンジンを強化し、RAID(独立ディスクの冗長アレイ)メカニズムを利用します。データは、他のページに以前に保存されたパリティによって再構築されます。復元されたデータは新しいブロックに保存され、以前に保存されたブロックが更新されます。

Wear-Leveling
ウェアレベリング (Wear-Leveling)

ウェアレベリングとは、特定のNANDブロックが他のブロックよりも頻繁に書き込まれたり消去されたりしないようにする方法を指します。したがって、ウェアレベリングは、特定のブロックの乱用をし、デバイスの障害やデータの損失につながる可能性を防ぐことにより、フラッシュ製品の平均寿命と耐久性を向上させます。

Garbage Collection
ガベージコレクション (Garbage Collection)

フラッシュベースのストレージデバイスは、従来のディスクと比較して、以前に削除されたデータを処理する方法が異なります。SSDの同じブロックに新しいデータを書き込む前に、まずデータを消去する必要があります。ガベージコレクションは、使用中のデータを新しいブロックにコピーしてから、古いブロックからすべてのデータを削除します。

TRIM Command
TRIMコマンド (TRIM Command)

TRIMとは、オペレーティングシステムがSSDに、不要になり削除できるブロック、または書き換え可能としてマークされているブロックを通知できるコマンドです。TRIMコマンドを使用すると、ライトアンプリフィケーション係数(WAF)が低下するだけでなく、データアクセス速度も向上します。

ソリューション

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デジタルおよびビデオ監視の利用は急速に拡大し、デジタル信号の伝送においても高度化しています。監視システムは、安全、個人やビジネスの保護、犯罪防止、さらには顔認識やストリーミングデータなどのコンテンツ分析のため、24時間365日メガピクセル品質を提供することが期待されています。デジタル信号で録画された映像を送信していない場合、アナログ設定の監視システムは安全上の懸念に対応するための監視ツールとして機能します。いずれの動作モードでも、SMART Modularは高性能な監視ニーズに対応するさまざまなストレージソリューションを提供しています。

製品ファミリーの概要

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