RD530m | SD 6.1 | microSD Card

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产品简介

SMART 的大容量 Rd530M 工业 microSD 存储卡完全符合 microSD UHS-I SDR 104 标准。RD530M microSD 卡采用 3D TLC NAND 闪存,容量从 64GB 到 128GB 不等。它们专为满足严格的工业操作和环境要求而设计。

SMART 的 Rd530m microSD 卡结合了机载错误检测和校正算法以及静态和动态磨损平衡技术,可确保产品的使用寿命内多年可靠运行。

探索我们的全系列产品microSD产品,

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零件号

容量

注意

SV9UD128GPHKFTCD1
128GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)
SV9UD064GPHKFTCD1
64GB
C-Temp (0˚C to +70˚C)

产品详情

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必需品

产品系列
RD530
NAND 闪存技术
3D TLC
接口
SD 6.1

性能

顺序读取(最大值)
Up to 100MB/s
顺序写入(最大值)
Up to 90MB/s
容量
64GB 128GB

可靠性

TBW
64GB: 175TBW 128GB: 350TBW (JEDEC® Sequential Workload)
MTBF
> 3,000,000 hours

环保

休克
Plus with Half-Sine, 500G/2ms. 6 faces, 5 times/face
振动
Displacement: 20-80Hz/1.52mm. Acceleration: 80-2000HZ/20G. 30mins/axis.
操作温度
C-temp: 0℃ to +70℃
存储温度
-40℃ to +85℃
湿度
40℃/93%RH@500hrs

身体的

长度
15mm
宽度
11mm
身高
1mm

技术

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Advanced Error Detection & Correction
高级错误检测和校正

SMART 的高级错误检测和校正技术强化了 ECC(错误代码校正)引擎,并利用 RAID(独立磁盘冗余阵列)机制。数据由先前存储在其他页面中的奇偶校验值进行重建。恢复的数据将存储在一个新块中,并且之前存储的块将被刷新。

Wear-Leveling
磨损均衡

Wear Leveling是指确保某些 NAND 方块的写入和擦除频率不高于其他方块的做法。通过防止过度使用可能导致设备故障或数据丢失的特定模块,Wear-Leveling因此可以提高闪存产品的预期寿命和耐久性。

Garbage Collection
垃圾收集

与传统磁盘相比,基于闪存的存储设备处理先前删除的数据的方式有所不同。必须先擦除数据,然后才能将新数据写入固态硬盘中的同一个区块。垃圾回收将使用中的数据复制到新区块,然后删除旧区块中的所有数据。

TRIM Command
TRIM 命令

TRIM 是一项命令,操作系统可以借助该命令告诉固态硬盘不再需要哪些块,哪些块可以删除,或者标记为可免费重写。使用 TRIM 命令,它不仅可以降低写入放大器因子 (WAF),还可以提高数据访问速度。

解决方案

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数字和视频监控的使用已得到突飞猛进的发展,并且在传输数字信号方面变得更加复杂。现在,监控系统有望全天候提供百万像素的质量,无论是用于安全、个人或企业保护、预防犯罪还是用于其他类型的内容分析,例如面部分析和流媒体数据。当不通过数字信号传输记录的图像时,模拟设置中的监控系统可用作监控工具,以解决安全问题。在任何一种操作模式下,SMART Modular都提供各种存储解决方案,以满足高性能监控需求。

产品系列概述

Data flow rendering
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