Centros de datos de IA y HPC
Soluciones tolerantes a fallos
Memoria integrada
SMART Modular Technologies ofrece módulos DDR5 ECC VLP CUDIMM de alto rendimiento diseñados para sistemas con limitaciones de espacio que exigen un funcionamiento fiable y un gran ancho de banda de memoria. Con una altura de perfil muy baja de 18,75 mm, estos módulos permiten la colocación vertical en palas de 1U y placas densas, a la vez que mantienen un flujo de aire y una capacidad de servicio adecuados.
Con el rápido auge del IoT y el IIoT, la demanda de conectividad ha transformado las redes. Las redes actuales escalan a un ritmo exponencial y procesan enormes cantidades de datos que se almacenan para su análisis. Una memoria confiable y comprobada es vital para garantizar la transmisión hiperrápida de todos esos datos, así como el almacenamiento de los datos intercambiados entre los dispositivos periféricos y los centros de red. Ya sea que la escala de la red esté entre dos ubicaciones o construida para miles de dispositivos conectados en diferentes lugares del mundo, habrá enormes cantidades de datos que se procesarán constantemente cuando la red esté en funcionamiento. Por eso es tan importante contar con las soluciones de memoria adecuadas, para garantizar que los datos se procesen rápidamente y se almacenen de forma segura, independientemente de la demanda que se imponga a la red.
Desde pequeños componentes industriales instalados en sistemas de automatización hasta grandes equipos utilizados para la extracción de petróleo, a las operaciones del proyecto se les pide que proporcionen instrucciones precisas, en ocasiones en entornos hostiles. Por lo tanto, es fundamental mantener la precisión de la salida de datos, además de mantener un rendimiento operativo continuo y estable.
Las cargas de trabajo aceleradas de IA y ML suelen requerir una memoria de gran ancho de banda para mantenerse al día con las enormes cantidades de datos que se procesan. Se necesitan arquitecturas de memoria que puedan ofrecer un mayor ancho de banda para igualar las capacidades computacionales de los aceleradores modernos. Esto podría implicar innovaciones en el diseño de DRAM, como buses de memoria más anchos, interfaces de memoria más rápidas o la integración de tecnologías de memoria de gran ancho de banda (HBM).

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