DDR5 MRDIMM

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Resumen del producto

El MRDIMM (módulo de memoria en línea dual de rango multiplexado) DDR5 de SMART mejora el rendimiento al multiplexar dos rangos de DRAM DDR5, lo que duplica de manera efectiva la velocidad de datos por pin de señal. Esta arquitectura alcanza hasta 12.800 MT/s (con una DRAM de 6.400 MT/s) al intercalar flujos de datos, lo que permite un búfer de chip descendente de rango multiplexor (MRCD) y búferes de datos (MDB). El diseño mantiene las conexiones físicas de la DDR5 y, al mismo tiempo, aumenta el ancho de banda y la capacidad.

Diseñado para la formación de inteligencia artificial y aprendizaje automático, las bases de datos en memoria (IMDB) y las cargas de trabajo de HPC, como la modelización financiera y las simulaciones científicas, aprovecha la administración de energía en DIMM (PMIC) y los subcanales duales independientes de 40 bits para maximizar la eficiencia. El módulo admite capacidades de hasta 256 GB para configuraciones de servidores de 1U a 4U, lo que garantiza una integración perfecta en los centros de datos de próxima generación.

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Número de pieza

Capacidad

Nota

SRBG8RM5844-SM
256GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRAG8RM5844-SM
128GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
STAG8RM5444-HB
128GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
ST8G8RM5444-HB
64GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SR8G8RM5484-SM
64GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SR8G8RM5444-SE
64GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
ST4G8RM5284-HB
32GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SR4G8RM5284-SE
32GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRZAG8RM5844-SM
128GB
C-temp (0˚C to +70˚C) / Zefr
SRZ8G8RM5444-SE
64GB
C-temp (0˚C to +70˚C) / Zefr
SRZ8G8RM5484-SM
64GB
C-temp (0˚C to +70˚C) / Zefr
SRZ4G8RM5284-SE
32GB
C-temp (0˚C to +70˚C) / Zefr

Detalles del producto

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Esenciales

Tecnología
DDR5
Tipo de módulo
MRDIMM
Temperature
C-temp: 0˚C to 70˚C
Configuración de componentes
2Gx8 4Gx4 4Gx8 8Gx4
Profundidad
4G 8G 16G 32G
Anchura
x80
Tensión
1.1V
Recuento de pines
288-Pin

Rendimiento

Capacidad
32GB 64GB 128GB 256GB
Velocidad de datos
8800MT/s
Velocidad
PC5-44800
CL
CL = 36

Ambiental

RoHS
Yes

Físico

Altura
31.25mm 56.90mm

Tecnologías

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Eliminating Over 90% of Memory Reliability Failures
Eliminación de más del 90% de las fallas de confiabilidad de la memoria

En nuestra era impulsada por la información, las potentes plataformas de computación de alto rendimiento (HPC) procesan enormes cantidades de datos en un esfuerzo por liberar su valor. Para obtener los conocimientos necesarios para hacer avanzar a la humanidad, las soluciones de HPC evolucionan constantemente. Optimizar la confiabilidad del subsistema de memoria para lograr el máximo tiempo de actividad es fundamental para el éxito.

 

Anti-Sulfur Resistor
Resistor antiazufre

La exposición al dióxido de azufre provoca una reacción corrosiva cuando las aleaciones de plata encuentran gases o líquidos de azufre. Esto normalmente reduce la conductividad de la resistencia y, por lo tanto, aumenta el riesgo de fallo. SMART utiliza ASR (resistencias antiazufre) cuando es necesario para los productos de fabricación inteligente, lo que les permite funcionar de manera confiable en entornos hostiles ricos en azufre para cumplir con los más altos estándares industriales.

Soluciones

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Junto con la creciente cantidad de dispositivos y sistemas de TI instalados en las empresas modernas, cada día se generan y transportan más datos entre equipos físicos y espacios virtuales, como la nube. Para almacenar y administrar de manera eficiente y efectiva estas cantidades de datos, es cada vez más necesario crear una infraestructura de datos que pueda albergar centros de datos internos o que pueda subcontratarse a proveedores de servicios en la nube. Ya sea que la infraestructura de datos sea interna o externa, el objetivo principal es recopilar, procesar y almacenar los datos en condiciones estables y seguras para garantizar un funcionamiento ininterrumpido para las empresas.

Ya sea que se trate de una compañía de seguros de salud de tamaño mediano o de un proveedor de servicios de comercio electrónico a gran escala, los servidores de almacenamiento desempeñan un papel importante en términos de administración de datos para cualquier operación empresarial. Junto con la creciente cantidad de datos que se generan y transportan a través de las conexiones de red, es crucial procesar y almacenar los datos de manera eficiente y, al mismo tiempo, permitir el acceso a los datos y, al mismo tiempo, mantener la seguridad. Independientemente del uso de las aplicaciones de datos, los servidores de almacenamiento se pueden usar cuando se transmiten, recopilan y procesan una gran cantidad de datos para el análisis y las operaciones comerciales.

Las cargas de trabajo aceleradas de IA y ML suelen requerir una memoria de gran ancho de banda para mantenerse al día con las enormes cantidades de datos que se procesan. Se necesitan arquitecturas de memoria que puedan ofrecer un mayor ancho de banda para igualar las capacidades computacionales de los aceleradores modernos. Esto podría implicar innovaciones en el diseño de DRAM, como buses de memoria más anchos, interfaces de memoria más rápidas o la integración de tecnologías de memoria de gran ancho de banda (HBM).

La computación de alto rendimiento (HPC) representa una solución líder que se utiliza para modelar y comprender problemas complejos como el clima, la agricultura y el espacio. Las aplicaciones HPC requieren la capacidad de procesar datos y realizar cálculos complejos a altas velocidades en plazos limitados. Para aplicaciones como el aprendizaje automático y profundo de IA, el análisis de datos o la investigación médica, el HPC puede procesar enormes cantidades de datos en tiempo real. A medida que aumente el HPC, también aumentará la demanda de memoria confiable y de alto rendimiento para cumplir con las expectativas.

Descripción general de la familia de productos

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