DDR5-12800 ECC MRDIMM

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제품 요약

SMART  Modular Technologies의 DDR5-12800 MRDIMMs(Multiplexed Rank DIMMs)은 데이터 집약적인  애플리케이션에서 발생하는 성능 병목 현상을 해소하도록 설계된, 메모리 기술의 비약적인 발전을 보여줍니다. MRDIMM은 표준 DDR5의  유효 데이터 속도를 두 배로 높여, 서버 및 컴퓨팅 플랫폼을 구동하기 위한 전례 없는 대역폭을 제공합니다.

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부품 번호

용량

노트

SRAG8RM548J-SM
128GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRHG8RM564J-SQ
96GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRHG8RM538J-SQ
96GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SR8G8RM544J-SQ
64GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SR8G8RM528J-SQ
64GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SR4G8RM528J-SQ
32GB
C-temp (0˚C to +70˚C)

제품 세부 정보

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골자

테크놀로지
DDR5
모듈 유형
ECC MRDIMM
온도
C-temp: 0˚C to 70˚C
구성 요소 구성
4Gx4 8Gx4 2Gx8 3Gx8 6Gx8
깊이
32G 64G 96G 128G
너비
x80
전압
1.1V
핀 개수
288-Pin

퍼포먼스

용량
32GB 64GB 96GB 128GB
데이터 속도
12800MT/s
스피드
PC5-44800
CL
CL = 36

환경

RoHS
Yes

물리적

높이
31.25mm

테크놀로지

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Eliminating Over 90% of Memory Reliability Failures
90% 이상의 메모리 신뢰성 장애 제거

정보 중심 시대에 강력한 고성능 컴퓨팅 (HPC) 플랫폼은 막대한 양의 데이터를 처리하여 그 가치를 극대화하고 있습니다.인류의 발전을 위해 필요한 통찰력을 제공하기 위해 HPC 솔루션은 끊임없이 진화하고 있습니다.최대 가동 시간을 위해 메모리 하위 시스템의 안정성을 최적화하는 것이 성공에 매우 중요합니다.

 

Anti-Sulfur Resistor
유황 방지 저항기

이산화황에 노출되면 은 합금이 황 가스 또는 액체와 만나면 부식 반응이 발생합니다.이는 일반적으로 저항 전도도를 감소시켜 고장 위험을 증가시킵니다.SMART는 Smart-Built 제품에 필요한 경우 ASR (Anti-Sulfur Resistor) 을 사용하므로 황이 풍부한 열악한 환경에서 안정적으로 작동하여 가장 엄격한 산업 표준을 충족할 수 있습니다.

솔루션

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현대 기업에 설치된 IT 장치 및 시스템의 수가 증가함에 따라 점점 더 많은 데이터가 생성되고 물리적 장비와 클라우드와 같은 가상 공간 간에 매일 전송되고 있습니다.이러한 양의 데이터를 효율적이고 효과적으로 저장하고 관리하기 위해서는 사내 데이터 센터를 수용할 수 있거나 클라우드 서비스 공급자에게 아웃소싱할 수 있는 데이터 인프라를 구축하는 것이 필요해지고 있습니다.데이터 인프라가 내부이든 외부이든 관계없이 주요 목적은 기업의 무중단 운영을 보장하기 위해 안정적이고 안전한 조건에서 데이터를 수집, 처리 및 저장하는 것입니다.

가속화된 AI 및 ML 워크로드에는 처리 중인 대량의 데이터를 처리하기 위해 고대역폭 메모리가 필요한 경우가 많습니다.최신 가속기의 계산 기능에 맞도록 더 높은 대역폭을 제공할 수 있는 메모리 아키텍처가 필요합니다.여기에는 더 넓은 메모리 버스, 더 빠른 메모리 인터페이스 또는 고대역폭 메모리 (HBM) 기술의 통합과 같은 DRAM 설계의 혁신이 포함될 수 있습니다.

HPC (고성능 컴퓨팅) 는 날씨, 농업, 우주와 같은 복잡한 문제를 모델링하고 이해하는 데 사용되는 선도적인 솔루션입니다.HPC 애플리케이션에는 제한된 시간 내에 고속으로 데이터를 처리하고 복잡한 계산을 수행할 수 있는 기능이 필요합니다.AI 머신/딥 러닝, 데이터 분석 또는 의학 연구와 같은 애플리케이션의 경우 HPC는 대량의 데이터를 실시간으로 처리할 수 있습니다.HPC가 증가함에 따라 기대에 부응하기 위한 고성능의 안정적인 메모리에 대한 수요도 증가합니다.

제품군 개요

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