DDR5 Registered ZDIMM

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Resumen del producto

Los zDIMM (módulo de memoria Zefr) se prueban rigurosamente para eliminar más del 90% de los fallos de confiabilidad de la memoria, lo que garantiza el máximo tiempo de actividad de las aplicaciones y optimiza la confiabilidad del subsistema de memoria.

Los ZDIMM utilizan el proceso de selección Zefr™ patentado de SMART, que garantiza los niveles más altos de disponibilidad y confiabilidad de la industria.

Los zDIMM están diseñados para centros de datos, plataformas de computación de alto rendimiento (HPC) y otros entornos informáticos que ejecutan aplicaciones de memoria de gran tamaño que exigen una alta confiabilidad.

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Número de pieza

Capacidad

Nota

SRZBG8RD584K-SM
256GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRZAG8RD5848-MB
128GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRZAG8RD5848-SM
128GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRZHG8RD5648-SP
96GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRZ8G8RD5448-MD
64GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRZ8G8RD5448-SE
64GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
STZ8G8RD5448-HA
64GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRZ4G8RD5288-SP
32GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRZ4G8RD5448-SE
32GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRZ4G8RD5288-SE
32GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
STZ4G8RD5448-HA
32GB
C-temp (0˚C to +70˚C)

Detalles del producto

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Esenciales

Tecnología
DDR5
Tipo de módulo
RDIMM
Temperatura
C-temp: 0˚C to 70˚C
Configuración de componentes
2Gx8 4Gx4 6Gx4 8Gx4
Profundidad
4G 8G 12G 16G 32G
Anchura
x80
Tensión
1.1V
Recuento de pines
288-Pin

Rendimiento

Densidad
32GB 64GB 96GB 128GB 256GB
Velocidad de datos
5600MT/s 6400MT/s
Velocidad
PC5-44800
CL
CL = 22 CL = 46 CL = 52

Ambiental

RoHS
Yes

Físico

Altura
31.25mm

Tecnologías

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Eliminating Over 90% of Memory Reliability Failures
Eliminación de más del 90% de las fallas de confiabilidad de la memoria

En nuestra era impulsada por la información, las potentes plataformas de computación de alto rendimiento (HPC) procesan enormes cantidades de datos en un esfuerzo por liberar su valor. Para obtener los conocimientos necesarios para hacer avanzar a la humanidad, las soluciones de HPC evolucionan constantemente. Optimizar la confiabilidad del subsistema de memoria para lograr el máximo tiempo de actividad es fundamental para el éxito.

 

Anti-Sulfur Resistor
Resistor antiazufre

La exposición al dióxido de azufre provoca una reacción corrosiva cuando las aleaciones de plata encuentran gases o líquidos de azufre. Esto normalmente reduce la conductividad de la resistencia y, por lo tanto, aumenta el riesgo de fallo. SMART utiliza ASR (resistencias antiazufre) cuando es necesario para los productos de fabricación inteligente, lo que les permite funcionar de manera confiable en entornos hostiles ricos en azufre para cumplir con los más altos estándares industriales.

Soluciones

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Junto con la creciente cantidad de dispositivos y sistemas de TI instalados en las empresas modernas, cada día se generan y transportan más datos entre equipos físicos y espacios virtuales, como la nube. Para almacenar y administrar de manera eficiente y efectiva estas cantidades de datos, es cada vez más necesario crear una infraestructura de datos que pueda albergar centros de datos internos o que pueda subcontratarse a proveedores de servicios en la nube. Ya sea que la infraestructura de datos sea interna o externa, el objetivo principal es recopilar, procesar y almacenar los datos en condiciones estables y seguras para garantizar un funcionamiento ininterrumpido para las empresas.

Las soluciones empresariales de SMART Modular están diseñadas específicamente para ofrecer una fiabilidad y un rendimiento incomparables para las aplicaciones de misión crítica. Diseñadas para soportar los entornos de computación de alto rendimiento (HPC) más exigentes, estas soluciones priorizan la estabilidad y el funcionamiento continuo, lo que garantiza una funcionalidad perfecta incluso en condiciones extremas. Con un enfoque en la confiabilidad a largo plazo, SMART Modular integra metodologías de prueba avanzadas para garantizar que solo los módulos de memoria más confiables lleguen a los clientes, lo que brinda tranquilidad y mejora la integridad del sistema en las aplicaciones de nivel empresarial.

Las cargas de trabajo aceleradas de IA y ML suelen requerir una memoria de gran ancho de banda para mantenerse al día con las enormes cantidades de datos que se procesan. Se necesitan arquitecturas de memoria que puedan ofrecer un mayor ancho de banda para igualar las capacidades computacionales de los aceleradores modernos. Esto podría implicar innovaciones en el diseño de DRAM, como buses de memoria más anchos, interfaces de memoria más rápidas o la integración de tecnologías de memoria de gran ancho de banda (HBM).

La computación de alto rendimiento (HPC) representa una solución líder que se utiliza para modelar y comprender problemas complejos como el clima, la agricultura y el espacio. Las aplicaciones HPC requieren la capacidad de procesar datos y realizar cálculos complejos a altas velocidades en plazos limitados. Para aplicaciones como el aprendizaje automático y profundo de IA, el análisis de datos o la investigación médica, el HPC puede procesar enormes cantidades de datos en tiempo real. A medida que aumente el HPC, también aumentará la demanda de memoria confiable y de alto rendimiento para cumplir con las expectativas.

Descripción general de la familia de productos

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