Centros de datos de IA y HPC
Soluciones tolerantes a fallos
Memoria integrada
La nueva línea de productos de DIMM registrados en DDR5 (RDIMM) de SMART tiene un revestimiento conforme y está diseñado específicamente para su uso en servidores de inmersión líquida. Los RDIMM de inmersión líquida DDR5 combinan el rendimiento superior de la tecnología DDR5 con una protección mejorada, lo que garantiza la confiabilidad y la longevidad en los entornos de centros de datos más exigentes.
El revestimiento conformado de estos RDIMM DDR5 proporciona una barrera protectora contra las amenazas ambientales, como la oxidación. Esto hace que los RDIMM DDR5 de inmersión líquida sean especialmente adecuados para los sistemas de refrigeración por inmersión líquida, que están ganando popularidad por sus beneficios de eficiencia y sostenibilidad. Aprenda más
En nuestra era impulsada por la información, las potentes plataformas de computación de alto rendimiento (HPC) procesan enormes cantidades de datos en un esfuerzo por liberar su valor. Para obtener los conocimientos necesarios para hacer avanzar a la humanidad, las soluciones de HPC evolucionan constantemente. Optimizar la confiabilidad del subsistema de memoria para lograr el máximo tiempo de actividad es fundamental para el éxito.
La exposición al dióxido de azufre provoca una reacción corrosiva cuando las aleaciones de plata encuentran gases o líquidos de azufre. Esto normalmente reduce la conductividad de la resistencia y, por lo tanto, aumenta el riesgo de fallo. SMART utiliza ASR (resistencias antiazufre) cuando es necesario para los productos de fabricación inteligente, lo que les permite funcionar de manera confiable en entornos hostiles ricos en azufre para cumplir con los más altos estándares industriales.
Como los dispositivos industriales tienen que sobrevivir a la exposición a entornos hostiles, el revestimiento conformado mejora la robustez del producto cuando se aplica en la superficie del módulo. Mejora la confiabilidad del producto y protege contra los daños causados por el polvo, la alta humedad, el agua salada, el aire, los solventes, los productos químicos y otros materiales agresivos.
Junto con la creciente cantidad de dispositivos y sistemas de TI instalados en las empresas modernas, cada día se generan y transportan más datos entre equipos físicos y espacios virtuales, como la nube. Para almacenar y administrar de manera eficiente y efectiva estas cantidades de datos, es cada vez más necesario crear una infraestructura de datos que pueda albergar centros de datos internos o que pueda subcontratarse a proveedores de servicios en la nube. Ya sea que la infraestructura de datos sea interna o externa, el objetivo principal es recopilar, procesar y almacenar los datos en condiciones estables y seguras para garantizar un funcionamiento ininterrumpido para las empresas.
Las cargas de trabajo aceleradas de IA y ML suelen requerir una memoria de gran ancho de banda para mantenerse al día con las enormes cantidades de datos que se procesan. Se necesitan arquitecturas de memoria que puedan ofrecer un mayor ancho de banda para igualar las capacidades computacionales de los aceleradores modernos. Esto podría implicar innovaciones en el diseño de DRAM, como buses de memoria más anchos, interfaces de memoria más rápidas o la integración de tecnologías de memoria de gran ancho de banda (HBM).
La computación de alto rendimiento (HPC) representa una solución líder que se utiliza para modelar y comprender problemas complejos como el clima, la agricultura y el espacio. Las aplicaciones HPC requieren la capacidad de procesar datos y realizar cálculos complejos a altas velocidades en plazos limitados. Para aplicaciones como el aprendizaje automático y profundo de IA, el análisis de datos o la investigación médica, el HPC puede procesar enormes cantidades de datos en tiempo real. A medida que aumente el HPC, también aumentará la demanda de memoria confiable y de alto rendimiento para cumplir con las expectativas.
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