RU350 | USB 3.2 | USB Flash Drive

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产品简介

SMART 的 DuraFlash RU350 USB 闪存盘提供三级细胞 (TLC) 3D NAND 闪存,容量为 16GB 至 64GB。USB 闪存盘符合高速 USB 3.2 Gen 1 接口,向后兼容 USB 2.0。

RU350 USB 闪存盘外形紧凑,容量大,通过整合板载错误检测和校正以及在产品使用寿命内提供可靠运行的全局磨损均衡算法来增强可靠性。

 

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零件号

容量

注意

SVJ33CGRSHD01

产品详情

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必需品

产品系列
RU350
NAND 闪存技术
3D TLC
接口
USB 3.2 Gen 1

性能

顺序读取(最大值)
Up to 270MB/s
顺序写入(最大值)
Up to 65MB/s
容量
16GB 32GB 64GB

可靠性

TBW
16GB: 75TBW 32GB: 75TBW 64GB: 150TBW (Sequential Workload)
MTBF
>4,000,000 hours

环保

休克
70 in/sec, 3 shocks along each axis, X, Y, Z, in each direction
振动
0.9 g rms 10-500 Hz, 30 minutes per side
操作温度
C-temp: 0℃ to +70℃
存储温度
C-temp: -25℃ to +85℃
湿度
40℃, Operation: 90% RH, Storage: 93% RH

身体的

长度
54.55mm
宽度
17.6mm
身高
8.3mm

技术

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Advanced Error Detection & Correction
高级错误检测和校正

SMART 的高级错误检测和校正技术强化了 ECC(错误代码校正)引擎,并利用 RAID(独立磁盘冗余阵列)机制。数据由先前存储在其他页面中的奇偶校验值进行重建。恢复的数据将存储在一个新块中,并且之前存储的块将被刷新。

Wear-Leveling
磨损均衡

Wear Leveling是指确保某些 NAND 方块的写入和擦除频率不高于其他方块的做法。通过防止过度使用可能导致设备故障或数据丢失的特定模块,Wear-Leveling因此可以提高闪存产品的预期寿命和耐久性。

Garbage Collection
垃圾收集

与传统磁盘相比,基于闪存的存储设备处理先前删除的数据的方式有所不同。必须先擦除数据,然后才能将新数据写入固态硬盘中的同一个区块。垃圾回收将使用中的数据复制到新区块,然后删除旧区块中的所有数据。

TRIM Command
TRIM 命令

TRIM 是一项命令,操作系统可以借助该命令告诉固态硬盘不再需要哪些块,哪些块可以删除,或者标记为可免费重写。使用 TRIM 命令,它不仅可以降低写入放大器因子 (WAF),还可以提高数据访问速度。

Over-Provisioning
预留空间

预留空间是一项将内存物理容量的特定部分保留用于进行垃圾收集、损耗平衡和坏块管理的技术。它有效地降低了写入放大的属性并延长了固态硬盘的使用寿命。

解决方案

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从部署在自动化系统中的小型工业组件到用于石油钻探的大型设备,项目运营部门需要提供精确的指令,有时在恶劣的环境中也是如此。因此,除了保持持续、稳定的运行性能外,保持数据输出的准确性也至关重要。

产品系列概述

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