DDR5 SODIMM

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产品简介

SMART 的 DDR5 SODIMM 旨在满足电信、网络和嵌入式计算等各种应用中对高效性能日益增长的需求。与DDR4相比,通过使用内置12V电压调节器(PMIC)和1.1 I/O电压,DDR5内存为开发人员提供了两倍的性能(4800至6400 MT/s)和更高的能效。在更高的速度下,DDR5在不降低信道效率的情况下提高了扩展性能。

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零件号

容量

注意

SR6G6SO5385HM
48GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRI4G6SO5288-SE
32GB
I-temp (-40˚C to +85˚C)
SRI4G6SO5288-SP
32GB
I-temp (-40˚C to +85˚C)
SR3G6SO5385HM
24GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRI2G6SO5288-SP
16GB
I-temp (-40˚C to +85˚C)
SR1G6SO5168SB
8GB
C-temp (0˚C to +70˚C)
SRI1G6SO5168-SP
8GB
I-temp (-40˚C to +85˚C)

产品详情

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必需品

Technology
DDR5
Module Type
SODIMM
Temperature
C-temp: 0˚C to 70˚C I-temp: -40˚C to 85˚C
Component Configuration
1Gx16 2Gx8 3Gx8
Depth
1G 2G 3G 4G 6G 32G
Width
x64
Voltage
1.1V
Pin Count
262-Pin

性能

Capacity
8GB 16GB 24GB 32GB 48GB
Data Rate
4800MT/s 5600MT/s
Speed
PC5-44800
CL
CL = 40 CL = 46

环保

RoHS
Yes

身体的

Height
30.00mm

技术

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Industrial Temperature (-40°C to +85°C)
工业温度(-40°C 至 +85°C)

Specifically designed for harsh environments, SMART’s industrial-grade products with industrial wide-temp ICs and components ensure the highest reliability and stability in extreme operating environments.

Anti-Sulfur Resistor
抗硫电阻

当银合金遇到硫气体或液体时,暴露于二氧化硫会引起腐蚀反应。这通常会降低电阻器的电导率,从而增加故障风险。SMART 在 SMART 制造的产品需要时使用 ASR(抗硫电阻),使它们能够在恶劣的富硫环境中可靠地运行,以满足最高的工业标准。

解决方案

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从部署在自动化系统中的小型工业组件到用于石油钻探的大型设备,项目运营部门需要提供精确的指令,有时在恶劣的环境中也是如此。因此,除了保持持续、稳定的运行性能外,保持数据输出的准确性也至关重要。

随着物联网和工业物联网的迅速崛起,对连接的需求改变了网络。当今的网络正以指数级的速度扩展,处理大量存储用于分析的数据。可靠的、经过验证的内存对于确保所有这些数据的超快速传输以及边缘设备和网络集线器之间交换的数据的存储至关重要。无论网络规模是位于两个地点之间,还是为全球不同地方的数千台联网设备而建造,无论网络运行时,都会不断处理大量数据。这就是为什么正确的存储器解决方案如此重要的原因——确保无论对网络的需求如何,都能快速处理数据并安全地存储数据。

产品系列概述

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